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苏州振鑫焱光伏科技有限公司

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苏州振鑫焱光伏科技有限公司
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多晶硅回收价格推荐

发布时间:2020-08-15 17:11:00        作者:振鑫焱光伏科技

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视频作者:苏州振鑫焱光伏科技有限公司






回收碎电池片价格及其用法

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,El,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,无界限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债还款,返修,太阳能发电控制模块收购等。 

收购碎电池片在电力能源运用中是很关键的1个一部分,碎充电电池的收购不但有益于自然环境的维护,一起充电电池中的硅都是十分珍贵的資源。 

收购碎电池片价钱 

如今市面的碎电池片通常全是多晶硅及其多晶的硅片,价钱区段在5元/件~15元/件,制成品价钱会贵许多。有的价钱在100元/件~300元/件中间,价钱供参考,期待能协助到诸位。

收购碎电池片是啥收购碎电池片是综合利用的这种。指从废弃物中提取的有效化学物质历经物理学或机械加工制造变成再运用的工艺品。比如废夹层玻璃、废旧金属、废旧电池等的综合利用。并指以将再度转让的方法回收二手货。电池片中带有原生态硅,关键收购的就是说硅。




电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:***回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,债务偿还,返工,光伏模块回收等。

扩散工艺

扩散目的

在来料硅片 P 型硅片的基础上扩散一层 N 型磷源,形成 PN 结。

扩散原理

POCl 3 在高温下 ( > 600 ℃ ) 分解生成*** ( PCl 5 ) 和*** ( P 2 O 5 ), 其反应式如下 :

5POCl 3=3PCl 5 +P 2 O 5

生成的 P 2 O 5 在扩散温度下与硅反应 , 生成二氧化硅 ( SiO 2 ) 和磷原子 , 其反应式如下 :

2P 2 O 5+ 5Si = 5SiO 2  + 4PPOCl 3

热分解时,如果没有外来的氧( O 2 )参与其分解是不充分的,生成的 PCl5 是不易分解的,并且对硅有腐蚀作用,破坏硅片的表面状态。但在有外来 O2 存在的情况下, PCl 5 会进一步分解成 P2O 5 并放出***( Cl 2 )其反应式如下:  

4PCl 5 +5O 2=2P 2 O 5 +10Cl 2  

生成的 P 2 O 5 又进一步与硅作用,生成 SiO 2 和磷原子,由此可见,在磷扩散时,为了促使 POCl3 充分的分解和避免 PCl 5 对硅片表面的腐蚀作用,必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样 POCl 3 分解产生的 P 2 O 5 淀积在硅片表面, P 2O 5 与硅反应生成 SiO 2 和磷原子,并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散。





丝网印刷

基本原理

基本原理:利用网版图文部分网孔透墨,非图文部分网孔不透墨的基本原理进行印刷。印刷时在网版上加入浆料,刮胶对网版施加一定压力,同时朝网版另一端移动。浆料在移动中从网孔中挤压到承印物上,由于粘性作用而固着在一定范围之内。由于网版与承印物之间保持一定的间隙,网版通过自身的张力产生对刮胶的回弹力,使网版与承印物只呈移动式线接触,而其它部分与承印物为脱离状态,浆料与丝网发生断裂运动,保证了印刷尺寸精度。刮胶刮过整个版面后抬起,同时网版也抬起,并通过回墨刀将浆料轻刮回初始位置,完成一个印刷行程。

丝网结构

网版,刮胶,浆料,印刷台,承印物

浆料体系

银铝浆:背面导体,作为背电极,提供可焊性。

铝浆:背面导体,作为背面电场,收集电流。

银浆:正面导体,作为正电极,收集电荷。





电池片流程

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:***回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,债务偿还,返工,光伏模块回收等。

电池片流程


扩散制结: 太阳能电池需要一个大面积的 PN 结以实现光电转化, 而扩散炉就是制造太阳能电池P-N 结的***设备。扩散用三氯氧磷为扩散源。在 830 度的高温下用氮气将三氯氧磷带入石英容器,通过三氯氧磷和硅片进行反应,得到磷离子,通过硅原子质检的空隙向硅片内扩散,形成 P-N 结。

需注意 :

石英舟一舟可放置 500 片, 扩散面需跟制绒面在同一面上,扩散为单面扩散,工艺流程为 83 分钟。

湿法刻蚀: 利用 HNO3 和 HF 的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀 , 去除边缘的 N 型硅 , 使得硅片的上下表面相互绝缘。

需注意 : 刻蚀分为干湿两法 ,目前采用湿法,刻蚀后需做亲水性测试。

如何判断亲水性是否良好?

用纯水滴在硅片上看硅片上的扩散面积。机械臂流片需要返工因臭氧层丢失。

PEVCD:   镀减反射膜可以有效降低光的反射 .

需注意 : 石墨舟一周可放置 240 片硅片,流程为 50 分钟, 在此阶段会发生***,色差等问题。

丝网印刷 : 把带有图案的模版附着于丝网上进行印刷   , 通常丝网由尼龙、聚酯、丝绸或金属网制作而成  , 承印物直接放在带有模版的丝网下面,浆料在***的挤压下穿过丝网间的网孔  , 只有图像部分能穿过,印刷到承印物上印刷流程为背电极——背电场——正电极。

需注意 : 断栅 问题会出现在此工艺段。也是电池片的后一大工艺段。










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