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电池片的制作工艺

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扩散工艺

扩散目的

在来料硅片 P 型硅片的基础上扩散一层 N 型磷源，形成 PN 结。

扩散原理

POCl 3 在高温下 （ > 600 ℃ ） 分解生成*** （ PCl 5 ） 和*** （ P 2 O 5 ）， 其反应式如下 ：

5POCl 3=3PCl 5 +P 2 O 5

生成的 P 2 O 5 在扩散温度下与硅反应 ， 生成二氧化硅 （ SiO 2 ） 和磷原子 ， 其反应式如下 ：

2P 2 O 5+ 5Si = 5SiO 2  + 4PPOCl 3

热分解时，如果没有外来的氧（ O 2 ）参与其分解是不充分的，生成的 PCl5 是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来 O2 存在的情况下， PCl 5 会进一步分解成 P2O 5 并放出***（ Cl 2 ）其反应式如下：  

4PCl 5 +5O 2=2P 2 O 5 +10Cl 2  

生成的 P 2 O 5 又进一步与硅作用，生成 SiO 2 和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使 POCl3 充分的分解和避免 PCl 5 对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样 POCl 3 分解产生的 P 2 O 5 淀积在硅片表面， P 2O 5 与硅反应生成 SiO 2 和磷原子，并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。

烧结

烧结目的

干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。

烧结对电池片的影响

银浆的烧结很重要，对电池片电性能影响主要表现在 串联电阻和并联电阻 ，即 FF 的变化。

铝浆烧结的目的使浆料中的***完全挥发，并形成完好的铝硅合金和铝层。局部的受热不均和散热不均可能会导致起包，严重的会起铝珠。背面场经烧结后形成的铝硅合金，铝在硅中是作为 P 型掺杂，它可以减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高 开路电压和短路电流 ，改善对红外线的响应。

烧结过程

1. 室温 ~300 度，溶剂挥发。

2.300~500度，有机树脂分解排出，需要氧气。

3.400 度以上，玻璃软化。

4.600 度以上，玻璃与减反层反应，实现导电。

晶硅太阳能电池板的制作过程

晶硅太阳能光伏板的制做全过程 

3、去磷硅玻璃该加工工艺用以太阳能电池片生产加工全过程中，根据有机化学浸蚀法也即把硅片放到盐酸水溶液中侵泡，使其造成放热反应转化成可溶的络和物六***，以除去外扩散制结后在硅片表层产生的一层层磷硅玻璃。在外扩散全过程中，POCL3与O2反映转化成P2O5淀积在硅片表层。P2O5与Si反映又转化成SiO2和磷分子，那样就在硅片表层产生一层层带有磷原素的SiO2，称作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的机器设备通常由本身、清理槽、伺服电机驱动器系统软件、机械手臂、电气系统和全自动配酸系统软件等一部分构成，关键能源有盐酸、N2、空气压缩、纯净水，热排风系统和污水。盐酸可以融解sio2由于盐酸与sio2反映转化成容易挥发的四***汽体。若盐酸过多，反映转化成的四***会深化与盐酸反映转化成可溶的络和物六***。 

4、低温等离子刻蚀因为在外扩散全过程中，即便选用背对背外扩散，硅片的全部表层包含边沿都将难以避免地外扩散上磷。PN结的反面所搜集到的光生电子器件会顺着边沿外扩散有磷的地区流进PN结的反面，而导致短路故障。因而，务必对太阳电池附近的夹杂硅开展刻蚀，以除去充电电池边沿的PN结。一般 选用低温等离子刻蚀技术性进行这一加工工艺。低温等离子刻蚀是在底压情况下，反映汽体CF4的孕妈分子结构在频射输出功率的激起下，造成电离并产生等离子技术。等离子技术是由感应起电的电子器件和正离子构成，反映波导管中的汽体在电子器件的碰撞下，除开转化成正离子外，还能消化吸收动能并产生很多的特异性基团。特异性反映基团因为外扩散或是在静电场功效下抵达SiO2表层，在那边与被刻蚀原材料表层产生放热反应，并产生挥发物的反映反应物摆脱被刻蚀化学物质表层，被超滤装置抽出来波导管。