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    近日与发改委签署了《战略框架合作协议》，公司拟在邢台设立屋顶电站项目公司，并拟计划在三年内投资约60亿元建设600MWp分布式太阳能光伏发电项目，近在受理光伏发电报装业务时，发现有些用户现场条件所能承受的容量与报装的容量不符，导致部分报装资料要重新填写，费时费力建设300MWp。一般情况投资成本在5-6年回本，剩余20多年的收益就是纯利润。

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    硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，终在 10 级净空房内完成。

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刻蚀原理

硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 , 可分为各向同性腐蚀技术和各向异性腐蚀技术。在产品范围不明情况下，美调查机关竟然能够做出初裁，并计算出相应税率，。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 , 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向异性腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同 , 导致各个晶向的腐蚀速率不同。现出结构边缘平滑的现象。各向同性腐蚀液常用 HF、 HN O 3 和 H2O(CH3COOH) , 用这些腐蚀液很难实现选择性腐蚀 , 并且很难能找到能够长时间承受腐蚀的材料。 各向异性腐蚀液包括无机腐蚀剂和有机腐蚀剂两种 , 其中无机腐蚀剂为 NH4OH、 KOH 和 NaOH 等碱性溶液 , 有机腐蚀剂为 TMAH 、EPW( 邻苯二酚、***、水 ) 和联胺。

通常情况下选用 KOH、 ( CH3) 2CHOH ( 也叫 IPA) [ 8] 和水作为各向异性腐蚀液 ,则根据硅在腐蚀液中的腐蚀机制可表示如下：

KOH+ H3O= K++2OH- +H +

Si+ 2OH -+ 4H 2O=Si( OH)62-

Si( OH) 6 2- + 6( CH 3) 2CH OH= [ Si( OC3H7 ) ] 62- + 6H 2O

然后，络合产物与作用生成可溶解。

工艺实现

为实现利用湿法刻蚀在硅片加工出刻，硅腐蚀。V 形槽条纹这一目标，需要三步工艺：氧化，光图 1 硅单晶晶体结构。

在本文中用（ 100）双面抛光硅片来叙述，图 2 中 V 型槽的两个斜面为 (111)晶面，底面为(100)晶面。由晶体结构计算斜面（ 111）与地面（ 100）夹角 54.736°。当腐蚀的时候，从（ 100）硅片上沿着（ 110）方向腐蚀时掉需要腐蚀的硅原子，从而暴露出倾角为 54.736°的（ 111）面，双面进行就会形成 V 型槽结构。由于硅片的腐蚀存在备向异性，硅 (111)晶面的腐蚀速度远小于 (100)面的。因此，只要选择适当的腐蚀温度和时间，就能得到如图 2 所示的硅片 V 型槽。将硅单晶体按（ 100）方向切成所需大小的硅片。问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。

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