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苏州振鑫焱光伏科技有限公司

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苏州振鑫焱光伏科技有限公司
第11年 |    
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镇江回收实验拆卸组件来电咨询 振鑫焱***回收

发布时间:2022-07-03 15:00:00        作者:振鑫焱光伏科技

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视频作者:苏州振鑫焱光伏科技有限公司






电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,债务偿还,返工,光伏模块回收等。

影响因素

1 .频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率( >4MHz )沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 .射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是,功率密度不宜过大,超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 .衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ~ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率,并有较低的本征压力,从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜,本征应力很大且为张应力,而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 .气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜,选择NH3/SiH4=2~20 (体积比)。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率,通常采用较大的气体总流量,以保证沉积的均匀性。

5 .反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比,对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N = 0.75 ,而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,但多为富硅膜,可写成 SiN 。因此,必须控制气体中的 SiH4 浓度,不宜过高,并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外, PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 .反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。






参数相互关系

1. 压力与间距:压力越大时,间距也大;因为压力大时,与网板接触的地方凸出来也多,间距小的话,硅片承受的压力加大,碎片的概率会加大。两个参数当中的一个改变 ,  另外一个不改 ,  就可能加大硅片碎的可能性或影响印刷质量。  

2. 印刷速度影响到产能 ,  同时也影响到印刷到硅片浆料的多少。

印刷参数的调整

1. 先把印刷速度改小,以方便在调试时能很好的观察(如印刷速度为 50mm ) 。   完全松***定螺丝,并保证和回左右的固定螺丝未锁,能自由活动。

2. 先设定印刷间距:印刷间距以浆料能很好的印刷到硅片为宜,无粘片和虚印。 (  推荐为: 1.5 + 0.3)

3. 在间距定下后,设定印刷压力。压力由小到大慢慢加,加到在印刷时浆料能收干净就可以。

参数的调整

4. 在压力和间距设定好后,印刷一片看看印刷是否合格,否则再作微调。(印刷速度未改)

5. 合格后,   慢慢朝下拧锁定螺丝,在感觉到锁定螺丝刚碰到东西时,把锁定螺丝锁住。这个动作相当于找到了一个刮胶下降的一个限位,保证在压力加大时不会再下压。

6. 然后加快印刷速度,并测印刷重量,如过大,则减速,过小,则加速。(推荐 170mm ) 。




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晶硅太阳能光伏板的制做全过程 

5、镀减反射膜打磨抛光硅表层的透射率为35%,以便降低表层反射面,提升充电电池的变换,必须堆积一层层氮化硅减反射膜。如今工业化生产中常会选用PECVD机器设备制取减反射膜。PECVD即低温等离子增强型化学气相沉积。它的技术性基本原理是运用低温等离子作能量源,试品放置低气压下辉光放电的负极上,运用辉光放电使试品提温到预订的溫度,随后进入适当的反映汽体SiH4和NH3,汽体经一连串放热反应和等离子技术反映,在试品表层产生固态硬盘塑料薄膜即氮化硅塑料薄膜。通常状况下,应用这类低温等离子增强型化学气相沉积的方式 堆积的塑料薄膜薄厚在70nm上下。那样薄厚的塑料薄膜具备电子光学的多功能性。运用薄膜干涉基本原理,能够使全反射大得降低,充电电池的短路容量和輸出总有挺大提升,也是非常的提升。

6、油墨印刷太阳电池历经制绒、外扩散及PECVD等工艺流程后,早已做成PN结,能够在阳光照射下造成电流量,以便将造成的电流量导出来,必须在充电电池表层上制做正、负2个电级。生产制造电级的方式 许多,而油墨印刷是现阶段制做太阳电池电级广泛的这种生产工艺流程。油墨印刷是选用印压的方法将预订的图型包装印刷在基钢板上,该机器设备由充电电池反面银铝浆包装印刷、充电电池反面铝浆包装印刷和充电电池反面银浆包装印刷三一部分构成。其原理为:运用金属丝网图型一部分孔环穿透料浆,用刮板在金属丝网的料浆位置释放必须工作压力,一起朝金属丝网另一头挪动。印刷油墨在挪动中被刮板从图型一部分的孔环中挤压成型到基片上。因为料浆的黏性功效使印痕固着在必须范围之内,包装印刷中***自始至终与丝网版版和基片呈线形触碰,触碰线随刮板挪动而挪动,进而进行包装印刷行程安排。






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振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,试验板,负债还款,返修,太阳能发电控制模块收购等。 

太阳电池片规范 

1、范畴 

本规范适用百力达结晶硅太阳电池,包含单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池(下称充电电池)。

2、规范化引证文档以下文档中的条文根据本规范的引证而变成本规范的条文。因此注时间的引证文档,其接着全部的改动单(不包含勘误的內容)或改版均不适感用以本规范,但激励依据本规范达成共识的多方科学研究是不是可应用这种文档的新版。因此不注时间的引证文档,其新版适用本规范。 

GB/T2297自然光伏能源系统***术语GB/T6618硅片薄厚和总薄厚转变测试标准GB/T6495.1太阳能发电元器件首位一部分:太阳能发电电流量—工作电压特点的测量(idtIEC904—1:1987) 

GB/T6495.3太阳能发电元器件后一部分:路面用太阳能发电元器件的测量基本原理及规范光谱仪副光照强度数(idtIEC904—3:1987) 

GB/T17473.3厚膜电子信息技术用贵重金属料浆测试标准方阻测量 

GB/T17473.7厚膜电子信息技术用贵重金属料浆测试标准可焊性、耐焊性测量 

GB2828.1一部分:技术性抽样检验程序流程按接受品质限(AQL)查找的逐批检测取样方案 

GB2829周期时间检测记数取样程序流程及表(适用加工过程可靠性的查验)SJ/T10459太阳电池溫度指数测试标准ASTMD3359standardtestmethodsformeasuringadhesionbytapetest(胶布实验测量黏合性的方式 )






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