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从中标企业申报的技术参数上看，单晶组件大获全胜，并且以PERC组件为主。作为良好的半导体材料，硅可用来制造集成电路、晶体管、硅整流器等半导体器件。在输出功率上，主要以310或370Wp两类为主，而在转化率上，大多数都在18.8%及以上。这次“双反”强调的是，如果硅片来自中国内地，而组件和电池在海外并出口至美国的话，不在“双反”范围内；如果使用中国内地的硅片、台湾地区的电池再返回到内地做成组件，出口美国就会被征税。广东省光伏产业促进会副秘书长朱薇桦对新快报记者表示，“随着台湾地区这条路被封堵，开拓新兴市场、转向内地市场已经成为现在选择。

    近些年，越来越多的普通百姓刚开始了解、触碰、掌握乃至于立即安裝分布式电站，而伴随着本人分布式太阳能发电的发展趋势，越来越多的EPC企业们也都迅速行動以占领分布式销售市场。好的光伏系统建立在***的产品质量上，***人士尚且不能通过外观判断产品的质量，对于缺乏***知识的光伏爱好者和用户来说就更难了。可是，因为分布式电站本身特性及其中国B2B（企业对企业）的购置方式，中小型EPC企业需要量较小且分散化，因此没法得到生产制造企业的亲睐。怎样购置到***的部件变成诸多EPC企业发展趋势路面上务必超越的一道坎。一位光伏产业人员向记者表示，中国很多太阳能发电电站营运商存有补助延迟时间付款的状况，光伏补贴托欠造成电站营运商资金短缺，不断发展趋势能力受到限制。此外，从制造行业特点看，太阳能发电电站运营成本大，收购期长。项目投资现钱为一次性开支，而电费收益将在将来电站经营的悠长周期时间内逐渐取回，现钱排出和注入并不是配对，客观性上扩大了企业现金流量承担。

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光刻

    采用双层掩模法，即在氧化硅表面蒸发上一层铬、金，厚度分别为 50 nm 、 80 nm。但以有机材料制备太阳能电池的研究仅仅刚开始，不论是使用寿命，还是电池效率都不能和无机材料特别是矽电池相比。因为铬、金腐蚀时间较短，光刻胶的抗腐蚀性已足够。这样，用光刻胶作掩模先腐蚀铬、金再用铬、 金作掩模腐蚀 SiO2。 SiO2 腐蚀液配为 HF： NH4F： H20=1： 2： 3， 腐蚀时间约 10 min 。这种双层掩模光刻法腐蚀出的 SiO2 层图形边缘平整、无锯齿。后去胶，将 SiO2 层残留的铬、金完全腐蚀掉。

硅腐蚀

将已定域腐蚀 SiO2 层的硅片放入已配好的硅腐蚀液中，硅腐蚀液的配方为：异***：水 =1： 2： 2。一座5kW的光伏电站一年能产生5400~9100度左右的电力。在 78℃下腐蚀。由于硅的腐蚀存在各向异性，经一定的腐蚀时间，大约 80 min 即可得到要求的 V 型槽。 另外， 为防止 V 型槽底部出现 “小岛” ， 在腐蚀过程中，需要一定的搅拌。

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