清远报废太阳能发电板回收来电咨询「在线咨询」

电池片的检验

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，无界限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。 

电池片的检测 

一、检测的标准

1．高于800LX的直射下，间距电池片30-50cm的间距，看着方位垂直平分电池片表层观查。 

二、检测的方式 1、取放电池片时要轻拿小心轻放，125的电池片维持在1-2的检验速率，150及156的电池片要一整片一整片的开展查验。 

三、检验新项目1．色调偏色2．绒面色素斑3．亮斑4．裂痕、裂缝及破孔5．弯折的6．崩边、豁口、掉角7．印刷偏位8．TTV9．铝珠、铝苞10．包装印刷图型11．跑模12．尺寸

电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，债务偿还，返工，光伏模块回收等。

影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ >4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

太阳电池片标准

太阳电池片标准

4.1.6 外观

电池的颜色应均匀一致，无明显的色差、水痕、手印等外观缺陷。

电池的崩边、钝性缺口等外形缺损的尺寸要求：长度不大于 1.5mm ，由边缘向中心的深度不大于0.5mm ，同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过三处。同时不允许电池上有肉眼可见的裂纹以及 V 形缺口。

4.2 力学性能

4.2.1   弯曲变形

一般情况下，电池的弯曲变形用电池的弯曲度来衡量。不同尺寸规格的电池允许的大弯曲度应在产品详细规范中规定。

4.2.2 电极附着强度或电极 / 焊点的抗拉强度

电极附着应牢固，电极附着强度或电极 / 焊点的抗拉强度不小于1.22N/mm. 。

4.3 电性能

4.3.1   电性能参数的温度系数

应按照电池使用要求的温度范围，测量其电性能参数的温度系数。

4.3.2   电性能参数

电池电性能参数（包括低辐照度性能）应在产品详细规范中规定。

4.4 热循环试验

经 -40 °～ 85 °温度循环 5 次后，电池的外观，力学性能符合本标准规定的要求，电池的转换效率衰减不超过 3% 。