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硅的熔炼炉达到高产的目的，除了要求良好的电炉参数，精良的原料，合理的配比之外，操作方法的好坏是十分重要的因素。合理的加料方法对料层结

构，电极在炉内的稳定性和热能的充分利用，起着主导的作用。生产中，加料和捣炉是结合进行的。要根据熔炼过程的不同情况和特点，适时地完成加料、捣炉作

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超纯硅（每一千个原子中杂质不高于几个原子）是重要的半导体材料，广泛用于计算机、微波通讯、光纤通讯、太阳能发电等方面。半导体硅材料发展很快，每年

单晶硅的用量超过2500吨，硅片消费25亿平方英寸。我国硅材料的研究和生产也有很大发展，直径3英寸以下的单晶已达到国际水平，并且建立了切、磨、抛

工艺和设备，但总体水平与国际上还有一定差距

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1787年，拉瓦锡发现硅存在于岩石中。[2]1800年，戴维将其错认为一种化合物。[2]1811年盖-吕萨克和泰纳尔（Thenard, Louis Jacques）加热钾和四***得到不纯的无定形硅，根据拉丁文silex（燧石）命名为silicon。[2]1811年，-Lussac和Thenard以矽（硅）的四氟化物与碱土金属反应，发现在反应当中生成赤褐色的化合物（可能是含不纯物无定形的矽）。收购多晶边皮料,多晶电池片采购,回收单晶电池片,回收蹦边太阳嫩电池片中原名字“硅”并读“gui”，但并未意识到其实“硅”字本亦应读xi音。[3]