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国内电池回收相关政策

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中国锂电池回收有关现行政策 

在我国驱动力锂电池回收上坡过晚，锂电池回收现行政策和规范尚不足健全，一部分处在征询建议环节。 

2012年7月，国务下发《环保节能与新能源车发展趋势产业发展》中明确提出：①奋力到2015年EV PHEV总计销售量达50万亿元，到2020年总计产供销超500万亿元；②提升动力锂电池梯阶运用和收购管理方法。2014年7月《有关加速新能源车应用推广的实施意见》中强调：制订锂电池回收现行政策、完善锂电池回收管理体系。2015年5月《中国制造业2025》上将“绿色发展理念”做为发展战略指导方针，发展规划中提及：工业生产废弃物回收使用率至2015年规定超过65%，2020年73%，2025年则为79%。 

2016年1月《纯电动车动力电池综合利用技术性现行政策》中明确充电电池生产制造实施编号制、创建可回朔管理体系；确立选用经营者义务拓宽规章制度，充电电池制造商担负锂电池回收的关键义务。2016年12月《新能源车动力电池综合利用管理方法暂行规定（征求意见）》中谈及：为有利于充电电池的再次收购，在充电电池设计阶段要遵照易拆装标准，加工过程中务必喷码标识；除此之外管理条例中还涉及充电电池的市场销售、运用、存储及运送中与废旧电池回收的多种多样要求，是现阶段比较详尽的一整套提议。

电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，债务偿还，返工，光伏模块回收等。

2. 短路电流

在一定的温度和辐照条件下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，通常用 I sc 来表示。

将 PN 结短路（ V=0 ），因而 IF=0 ，这时所得的电流为短路电流 Isc ，显然有： I sc =  I L   ， I sc 与太阳电池的面积大小有关，面积越大，   I sc 越大。 I sc 与入射光的辐照度成正比。

3. 功率点

在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点，又称佳工作点。

4. 工作电压

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 V m 表示

5. 工作电流

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 I m 表示

6. 转换效率

受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。   η = V m  I m  / A t

P in 其中 V m 和 I m 分别为大输出功率点的电压和电流， A t 为太阳电池的总面积， P in 为单位面积太阳入射光的功率。

7. 填充因子

太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用 FF 表示：   FF = I m V m / I sc V oc

I sc V oc 是太阳电池的极限输出功率， I m V m 是太阳电池的大输出功率，填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。

8. 电流温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C   ，太阳电池短路电流的变化值，通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池   α = +0.1%/ 0 C 。

9. 电压温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C   ，太阳电池开路电压的变化值，通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池   β  = - 0.38%/ 0 C 。    

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晶硅太阳能光伏板的制做全过程 

1、表层制绒单晶硅绒面的制取是运用硅的各向异性浸蚀，在每CM硅表层产生几百万个四边方圆锥体也即金字塔式构造。因为光线射入在表层的数次反射面和映射，提升了光的消化吸收，提升了充电电池的短路容量和变换。硅的各向异性浸蚀液一般 用热的偏碱水溶液，能用的碱有***，三氯化铁溶液、***和***等。大多数应用便宜的浓度值约为1%的***稀水溶液来制取绒面硅，浸蚀溫度为70-85℃。以便得到匀称的绒面，还应在水溶液中酌量加上醛类如酒精和异***等做为络合剂，以加速硅的浸蚀。制取绒眼前，硅片须先开展基本表层浸蚀，用偏碱或酸碱性浸蚀液蚀去约20～25μm，在浸蚀绒面后，开展通常的化学性质。历经表层提前准备的硅片都不适合在水里久存，防止脏污，应尽早外扩散制结。 

2、外扩散制结太阳电池必须1个大规模的PN结以保持光能到电磁能的变换，而扩散炉即是生产制造太阳电池PN结的***设备。列管式扩散炉关键由方解石舟的***一部分、有机废气室、炉墙一部分和气柜一部分等几大一部分构成。外扩散通常用三氯氧磷液体源做为外扩散源。把P型硅片放到列管式扩散炉的方解石器皿内，在850---900摄氏高溫下应用N2将三氯氧磷带到方解石器皿，根据三氯氧磷和硅片开展反映，获得磷分子。历经必须時间，磷分子从周围进到硅片的表层，而且根据硅分子中间的间隙向硅片內部渗入外扩散，产生了N型半导体材料和P型半导体材料的交界层，也就是说PN结。这类方式 制成的PN结匀称性强,方块电阻的不匀称性低于10%,少子使用寿命可超过10ms。生产制造PN结是太阳电池生产制造基础都是重要的工艺流程。由于更是PN结的产生，才使电子器件和空化在流动性后已不返回原来地方，那样就产生了电流量，用输电线将电流量找出，就是说交流电。

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