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电池片的检验

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，无界限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。 

四、色调偏色 

*** 

1、多晶硅片：单个充电电池的色调匀称相同，色调的范畴从深蓝色刚开始，经暗蓝色、鲜红色、棕褐色、到深褐色中间容许相仿色的偏色（深蓝色和暗蓝色存有单个充电电池上，但不容许跳色），行为主体色调为暗蓝色，单个充电电池容许二种色调。2、多晶硅电池片：同一整片电池片色调匀称相同，色调范畴中沒有深褐色，别的同多晶***的辨别。新的规范：片式上匀称相同的不一样色调的电池片，依照淡蓝色、深蓝色、鲜红色几种开展归类。

B级 

1、多晶硅片：单个充电电池色调不匀称，容许存有跳色偏色，数跳1个相仿色（比如：鲜红色和深褐色存有于单个充电电池上），行为主体色调为深蓝色-鲜红色范畴，单个充电电池个容许存有几种色调。 

2、多晶硅电池片：与多晶电池片对比，只少了行为主体色调，别的同多晶B级的辨别。新的规范：与旧规范同样 

C级 

1．多晶硅片：同一整片充电电池容许色调不匀称（深蓝色-暗蓝色-鲜红色-棕褐色-深褐色）容许存有跳色偏色，以电池片上能够有≥2个相仿色。 

2．多晶硅电池片：与多晶电池片对比，色调范畴中少了深褐色，其他同多晶C级的辨别。新的规范：与旧规范同样注：当片式上为匀称相同获得不一样色调，判为***，但需依照淡蓝色、深蓝色、鲜红色几种开展单测单包。

电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，债务偿还，返工，光伏模块回收等。

影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ >4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

电池片流程

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电池片流程

1、   车间段位构成

WHQ ：硅片为太阳能电池片的载体，硅片的质量决定了电池片的转换效率。而该工序则是对硅片的来料检测，主要是包括厚度， TTV ，电阻率，外观 （破片，缺角，孔洞，脏污）

需注意 :

1)   切割方向会厚薄不均，放片时需 180 度错落放置以保证放入载体厚薄均匀，切割方向需要垂直与印刷 细 栅方向，预防水波纹出现。

2)   线痕：   单线痕

密集线痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以会有粘度导致原硅片粘连，放置时需轻微摇晃。

制绒： 目的：去除表面损伤层，对表面进行凹凸处理 ，清楚表面硅酸钠，氧化物，油污以及金属。以提高光电转换率。

减重 ，活性不均匀会影响到后面 PEVCD 工序使硅片出现问题制绒过程中， 制绒面朝下，装入载体，载体单孔面为制绒面。在制品时间为两小时，两小时内要及时送入下一工序。

晶体硅电池片

晶体硅电池片检验方法：

2 ） 外观目测：

a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色，目视颜色均匀 一致 ，无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。

b. 隐裂：电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹， 均视为不合格

c. 背面铝背电极完整，表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 ， 脱落 3mm 2   / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm

2  ,  背面铝膜与基体材料的附着强度?   背膜烧结：用层压机 130 — 145 度，超过 10 分钟。冷却到室温后，用刀片隔开 1cm 的宽度，用大于 50N 的拉力，铅膜不随 EVA 脱落，则认为合格。

d. 受光面栅线：主栅线均匀完整，栅线印刷清晰、对称；主栅线与细栅线处允许≤ 1mm ；细栅线允许≤ 2mm 的脱落；栅线印刷偏离，明显两次印刷的返工片视为不合格；断点的总数≤ 60mm。

e. 崩边：每一边不超过两处崩边，崩边间距≥ 30mm 、深度≤ 0.5 片子厚度、面积≤ mm 2

f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ，数量不超过 2 个。缺角：一边有一处崩边，面积≤5mm 2 ，一边由两处崩边、面积≤3mm 2

g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求：长度不大于 1.5mm ，由边缘向中心的深度不大于 0.5mm ，同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 V 形缺口。